تراشه حافظه
از ویکیپدیا، دانشنامهٔ آزاد.
تراشه حافظه (MEMORY CHIP) يك مدار مجتمع كه به ذخيره سازي اختصاص میيابد. حافظه ممكن است فرّار باشد و دادهها رابه طور موقت نگهداري كند، مانند RAM يا ممكن است غير فرّار باشد و دادهها را دائما در خود نگه دارد مانند PROM , EPROM ,EEPROM يا PROM حافظه RAM مي تواند شامل موارد زير باشد
شرکت اينتل از تازه ترين دستاورد خود در جستجوي بي امان براي ساختن ريزتراشه هاي کوچکتر و کم مصرف تر پرده برداشته است. شرکت تراشه سازي اينتل اعلام کرده است که در آينده نزديک توليد انبوه پردازنده هاي مجهز به ترانزيستورهايي به قطر تنها 45 نانومتر (45 ميلياردم متر) را آغاز خواهد کرد. هر چه مصالح اوليه ساختماني ريزپردازنده کوچکتر باشد، سرعت و بازدهي آن بيشتر مي شود. شرکت کامپيوترسازي آي بي ام نيز گفته است که قصد توليد پردازنده اي با عناصر ريزتر از نسل فعلي را دارد. "آي بي ام" که گاه از آن به عنوان "بيگ بلو" نيز ياد مي شود و فناوري جديد را با شرکايش توشيبا، سوني و اي ام دي (AMD) توسعه داده، قصد دارد پردازنده هاي تازه را از سال 2008 در تراشه هاي خود جاي دهد. اما اينتل مي گويد توليد تجاري پردازنده هاي تازه خود را از اواخر امسال در سه کارخانه آغاز خواهد کرد. نشت الکتريکي اين تحول بدان معني است که "قانون" بنيادي مور همچنان اعتبار خود را حفظ مي کند. گوردون مور، از بنيانگذاران شرکت اينتل، در سال 1965 پيش بيني کرده بود که تعداد ترانزيستورهاي روي يک تراشه (با مساحت ثابت) هر دو سال يکبار دو برابر خواهد شد. پردازنده هاي تازه اينتل که "پنرين" (Penryn) نامگذاري شده است بيش از 400 ميليون ترانزيستور را روي تراشه اي که مساحت آن نصف يک تمبر باشد جاي مي دهد. پنرين مانند پردازنده هاي فعلي به صورت دو هسته اي (dual-core) يا چهار هسته اي (quad-core) عرضه خواهد شد که بدان معني است که روي هر تراشه دو يا چهار پردازنده جداگانه قرار خواهد داشت. اينتل سرعت پردازنده جديد را اعلام نکرده است. توليد تکنولوژي 45-نانومتري از زمان ساخت ترانزيستور 65 نانومتبري هدف تراشه سازان بوده است. فلزات جديد ترانزيستور يک کليد ساده الکترونيکي است. هر تراشه نيازمند تعداد خاصي ترانزيستور است و هرچه تعداد آنها بيشتر باشد، تراشه مي تواند محاسبات بيشتري انجام دهد. تراشه سازان براي بيش از 45 سال موفق شده اند با کوچک کردن تدريجي ترانزيستورها و جاي دادن تعداد بيشتر و بيشتري از آنها روي هر تراشه، پاياپاي قانون مور حرکت کنند. با اين حال با گذر از مرز 65 نانومتري، سيليکوني که براي ساختن عناصر اساسي اين کليدها - موسوم به نارساناهاي دروازه اي (gate dialectric) - به کار گرفته مي شد ديگر به آن خوبي عمل نمي کنند. در نتيجه جريان الکتريکي گذرنده از ترانزيستور نشت کرده و بازدهي تراشه را کم مي کند. براي جلوگيري از اين وضع، پژوهشگران مجبور به ساختن ماده تازه اي شده اند که بتواند جريان هاي الکتريکي در چنين ابعاد کوچکي را مهار کند. دسته تازه اي که جايگزين سيليکون شده است فلزات high-k نام دارد. 'بزرگترين تغيير' گوردون مور توسعه و گنجاندن اين مواد به عنوان عناصر تراشه را "بزرگترين تغيير در فناوري ترانزيستور" از اواخر دهه 1960 توصيف کرده است. نخستين تراشه هاي حاوي وسايل 45 نانومتري را شرکت اينتل اواخر سال گذشته به نمايش گذاشت، اما آنها هنوز در محصولات تجاري جاي داده نشده بودند. دکتر تزشيانگ چن، معاون علوم و تکنولوژي در مرکز تحقيقات آي بي ام گفت: "صنعت تراشه سازي تاکنون با يک مانع عمده براي جلو بردن تکنولوژي امروزي روبرو بود.... اما بعد از حدودا 10 سال تلاش، اکنون راهي به جلو يافته ايم." شيوه دقيق ساخت فلزات high-k توسط اينتل و آي بي ام فاش نشده است اما نکته مهم آنکه هر دو شرکت گفته اند که مي توان آن را با کمترين زحمت در فناوري محصولات فعلي جاي داد.