NVRAM
Z Wikipédie
NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory) alebo energeticky nezávislá pamäť s priamym prístupom je RAM, ktorá (na rozdiel od SRAM/DRAM) nepotrebuje na uchovanie údajov elektrickú energiu.
Obsah |
[úprava] Sledované parametre
[úprava] Zapisovateľnosť / Prepisovateľnosť
[úprava] Len na čítanie
Pamäte typu „len na čítanie“ (angl. read-only) majú obsah určený výrobcom a užívateľsky nie sú zapisovateľné. Príkladom sú polovodičové ROM pamäte (použité často napr. na uchovanie firmware v mikrokontroléroch pri hromadnej výrobe), alebo tzv. lisované CD.
Niekedy sa ako ROM používajú aj pamäte na jednorazový zápis, ktorých obsah je však zapísaný a overený priamo výrobcom.
[úprava] Na jednorazový zápis
Pamäte na jednorazový zápis (angl. write-once alebo (u polovodičových pamätí) one-time programmable) je možné užívateľsky jednorazovo zapísať, avšak nie je možné ich mazať či prepísať. Typický príklad sú CD-ROM, DVD-ROM alebo bezokienkové EPROM, príp. dnes už historické bipolárne PROM.
[úprava] Na viacnásobný zápis
Tieto pamäte umožňujú viacnásobné, niekedy až neobmedzené, zapisovanie resp. prepisovanie údajov. Dôležitým parametrom týchto pamätí je povolený počet zápisových cyklov.
[úprava] Doba uchovania údajov
Doba uchovania údajov (angl. retention) je výrobcom zaručená doba, pokiaľ si pamäť bez napájania uchová údaje nepoškodené. Obvykle sa jedná o roky (typická hodnota býva 10 alebo 20 rokov).
Takmer u všetkých druhov NVRAM sa táto doba exponenciálne zmenšuje so zvyšujúcou sa teplotou, preto je dôležité venovať pozornosť prevádzkovým príp. skladovacím podmienkam pamäte.
[úprava] Počet cyklov (zápis, čítanie)
Niektoré technológie NVRAM majú obmedzený počet prístupových cyklov (angl. endurance)(obvykle zápisových, zriedkavo čítacích) kvôli degeneratívnym zmenám v materiáli pamäte.
Typicky sa to týka mazacích/zápisových cyklov pamätí typu EPROM/EEPROM/FLASH, ktoré bývajú typicky okolo 105-106 (avšak u niektorých typov len okolo 1000).
Počet čítacích cyklov je obmedzený u technológie feroelektrických pamätí, kde je čítanie deštruktívne a je potrebné informáciu obnoviť, takže v prípade čítania prebehne aj zápis. Celkový počet cyklov u týchto pamätí je však pomerne vysoký, okolo 108-109, u novších pamätí na nižšie napájacie napätie sa dokonca udáva ako neobmedzený.
[úprava] Prístupová doba (čítanie, zápis)
Pre aplikáciu je podstatná aj doba prístupu k údajom.
U pamätí s nepohyblivým médiom (angl. solid state) sa dnes pri čítaní obvykle jedná o desiatky nanosekúnd. Zápis je u pamätí typu EEPROM/FLASH pomalší (typicky jednotky či desiatky mikrosekúnd), pričom je potrebné často pamäť najprv vymazať (čo môže trvať desiatky mikrosekúnd až milisekundy).
U pamätí s pohyblivým médiom je doba prístupu obvykle symetrická pre čítanie/zápis, avšak je rozdiel medzi čítaním za sebou nasledujúcich údajov a úplne náhodným prístupom (ten trvá obvykle desiatky milisekúnd). U týchto pamätí teda nejde čiste o pamäte s náhodným prístupom (RAM) podľa definície, ale čiastočne je prítomný aj sekvenčný prístup.
[úprava] Rozdelenie
[úprava] S pohyblivým médiom
- pevný disk
- CD a jeho varianty
- DVD a jeho varianty
- diskety, vrátane veľkokapacitných vymeniteľných magnetických médií (a-drive, jaz-drive, zip-drive) - zastaralé
[úprava] S nepohyblivým médiom (solid state)
[úprava] Zastarané
[úprava] Vyzreté
[úprava] Používané
- EEPROM
- FLASH
- SRAM s integrovanou zálohovacou batériou (obvykle lítiový článok so životnosťou okolo 10 rokov)
- kombinácia SRAM a FLASH, kde pri zapnutí sa automaticky prekopírujú údaje zo SRAM do FLASH a pri vypnutí naopak [1]
[úprava] Nové
[úprava] Vo vývoji
- využívajúce technológiu uhlíkových nanorúrok
- magnetické RAM pamäte založené na efekte magnetického tunela