Арсенід галію

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.

Арсенід галію
Загальна інформація
Хімічна назва Арсенід галію
Молекулярна формула GaAs
Молярна маса 144.645 г/моль
Зовнішній вигляд Сірі кубічні кристали.
Властивості
Густина й агрегатний стан 5.3176 г/см³, тверде тіло.
Розчинність у воді < 0.1 г/100 мл (20°C)
Температура плавлення 1238°C (1511 K)
Температура кипіння  ?°C (? K)
Електронні властивості
Тип напівпровідника прямозоннний
Ширина забороненої зони при 300 K 1.424 еВ
ефективна маса електрона 0.067 me
ефективна маса легких дірок 0.082 me
ефектривна маса важких дірок 0.45 me
Рухливість електронів при 300 K 9200 см²/(В·с)
Рухливісь дірок при 300 K 400 см²/(В·с)
Структура
Кристалічна ґратка цинкової обманки
Дипольний момент  ? Д
Небезпека
Основна Канцерогенний
Температура загорання не займається
Споріднені сполуки
Споріднені сполуки Арсенід алюмінію

Арсенід галію (GaAs) - кристалічна речовина із кристалічною ґраткою типу алмазу.

Прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1.424 еВ. Широко використовується для створення напівпровідникових пристроїв, багатошарових структур, квантових точок, дротин й ям.