De la Wikipedia, enciclopedia liberă
- Semiconductor eterogen constituit din două regiuni cu conductibilitate de tip opus ( p şi n ), care formează o singură retea cristalină.
- Procesele care au loc într-o joncţiune (sau în urma interacţiunii mai multor joncţiuni), determină proprietăţile electrice ale dispozitivelor semiconductoare.
- Aceste procese sunt influenţate de regimul de polarizare a regiunilor.
- 1. În absenţa unei tensiuni aplicate din exterior,
- - o parte din golurile libere ale regiunii p (aflate în zona de vecinătate), difuzează în regiunea n , unde se recombină cu electronii;
- - o parte din electronii liberi ai regiunii n (aflaţi în zona de vecinătate), difuzează în regiunea p , unde se recombină cu golurile.
- Prin plecarea golurilor în regiunea n şi a electronilor în regiunea p, vor apărea în cele două regiuni două sarcini electrice spaţiale, de sens opus (constituite din acceptori şi donori ionizaţi).
- Aceste sarcini electrice creează un câmp electric îndreptat de la n spre p şi produc o barieră de potenţial care se opune difuziei purtătorilor majoritari, favorizând trecerea prin joncţiune a purtătorilor minoritari.
- La echilibru termic:
- - curentul de goluri produs prin difuzie este egal cu curentul de goluri produs sub influenţa curentului electric;
- - curentul de electroni produs prin difuzie este egal cu curentul de electroni produs sub influenţa curentului electric.
- Rezultă că, în ansamblu, semiconductorul este neutru.
- 2. Dacă se aplică joncţiunii o tensiune din exterior
- O joncţiune se obţine sub forma unui monocristal semiconductor (de germaniu sau de siliciu) prin divere procedee.
- Clasificarea joncţiunilor după procedeul de realizare:
- Joncţiune prin aliere
- Joncţiune prin difuzie (joncţiune difuzată)
- Joncţiune prin creştere epitaxială
[modifică] Procedee tehnologice
- Procedeele tehnologice utilizate pentru obţinerea materialelor semiconductoare pot fi utilizate şi la realizarea joncţiunilor înlocuind materialul semiconductor intrinsec cu un materialul semiconductor impurificat convenabil.
- Procedeul de difuzie
- - prin tehnologie planară
- - prin tehnologie mesa
- - prin combinaţia acestora cu tehnologie epitaxială
- Procedeul de creştere epitaxială
- - prin tehnologie epitaxială
- Dicţionar tehnic de radio şi televiziune - Editura ştiinţifică şi enciclopediă - Bucureşti - 1975.
- G.Vasilescu - Electronică - Editura didactică şi pedagogică - Bucureşti - 1981.
Diodă semiconductoare