Joncţiune

De la Wikipedia, enciclopedia liberă

  • Semiconductor eterogen constituit din două regiuni cu conductibilitate de tip opus ( p şi n ), care formează o singură retea cristalină.

Cuprins

[modifică] Procese

  • Procesele care au loc într-o joncţiune (sau în urma interacţiunii mai multor joncţiuni), determină proprietăţile electrice ale dispozitivelor semiconductoare.
  • Aceste procese sunt influenţate de regimul de polarizare a regiunilor.
  • 1. În absenţa unei tensiuni aplicate din exterior,
    • - o parte din golurile libere ale regiunii p (aflate în zona de vecinătate), difuzează în regiunea n , unde se recombină cu electronii;
    • - o parte din electronii liberi ai regiunii n (aflaţi în zona de vecinătate), difuzează în regiunea p , unde se recombină cu golurile.
  • Prin plecarea golurilor în regiunea n şi a electronilor în regiunea p, vor apărea în cele două regiuni două sarcini electrice spaţiale, de sens opus (constituite din acceptori şi donori ionizaţi).
  • Aceste sarcini electrice creează un câmp electric îndreptat de la n spre p şi produc o barieră de potenţial care se opune difuziei purtătorilor majoritari, favorizând trecerea prin joncţiune a purtătorilor minoritari.
  • La echilibru termic:
    • - curentul de goluri produs prin difuzie este egal cu curentul de goluri produs sub influenţa curentului electric;
    • - curentul de electroni produs prin difuzie este egal cu curentul de electroni produs sub influenţa curentului electric.
  • Rezultă că, în ansamblu, semiconductorul este neutru.
  • 2. Dacă se aplică joncţiunii o tensiune din exterior


[modifică] Clasificare

  • O joncţiune se obţine sub forma unui monocristal semiconductor (de germaniu sau de siliciu) prin divere procedee.
  • Clasificarea joncţiunilor după procedeul de realizare:
    • Joncţiune prin aliere
    • Joncţiune prin difuzie (joncţiune difuzată)
    • Joncţiune prin creştere epitaxială

[modifică] Procedee tehnologice

  • Procedeele tehnologice utilizate pentru obţinerea materialelor semiconductoare pot fi utilizate şi la realizarea joncţiunilor înlocuind materialul semiconductor intrinsec cu un materialul semiconductor impurificat convenabil.
  • Procedeul de aliere
  • Procedeul de difuzie
    • - prin tehnologie planară
    • - prin tehnologie mesa
    • - prin combinaţia acestora cu tehnologie epitaxială
  • Procedeul de creştere epitaxială
    • - prin tehnologie epitaxială

[modifică] Bibliografie

  • Dicţionar tehnic de radio şi televiziune - Editura ştiinţifică şi enciclopediă - Bucureşti - 1975.
  • G.Vasilescu - Electronică - Editura didactică şi pedagogică - Bucureşti - 1981.

[modifică] Vezi şi:

Diodă semiconductoare