Φωτολιθογραφία

Από τη Βικιπαίδεια, την ελεύθερη εγκυκλοπαίδεια

Η φωτολιθογραφία είναι σήμερα η πιο διαδεδομένη τεχνική που χρησιμοποιείται κατά κόρον στη μικροηλεκτρονική. Η αρχή λειτουργίας της έχει ως εξής

(a) Δημιουργείται ένα λεπτό στρώμα μονωτικού SiO2 επάνω από το δισκίο (wafer) Si.

(b) Το δισκίο επικαλύπτεται με ένα ειδικό υλικό (photoresist) που είτε καταστρέφεται από την υπεριώδη ακτινοβολία (positive resist) είτε σκληραίνει (negative photoresist) όταν εκτεθεί σε αυτή.

(c) Γίνεται έκθεση του δισκίου σε υπεριώδες φως μέσω ενός ειδικού φράγματος (μάσκας) που έχει σχεδιασμένη την επιθυμητή μορφή.

(d) Η περιοχή του photoresist που φωτίζεται από την υπεριώδη ακτινοβολία είτε καταστρέφεται και απομακρύνεται (positive photoresist), είτε σκληραίνει και μένει επάνω στο υμένιο SiO2 στα σημεία όπου φωτίστηκαν ενώ απομακρύνεται από τις περιοχές που δεν φωτίστηκαν (negative photoresist).

(e) Γίνεται υγρή απόξεση (etching) δηλαδή αφαίρεση υλικού με οξύ (συνήθως HF). Αφαιρείται από όλη την επιφάνεια το στρώμα του SiO2 εκτός από εκεί όπου υπάρχει ακόμα το photoresist το οποίο και το προστατεύει.

(f) Τέλος με την αφαίρεση του εναπομένοντος photoresist προκύπτει η επιθυμητή μορφοποίηση του Si.

Αυτή βέβαια είναι η απλούστερη περίπτωση. Συνήθως απαιτούνται επαναλήψεις των παραπάνω βημάτων για την ολοκλήρωση περίπλοκων διαμορφώσεων. Παρ’ όλα αυτά τα παραπάνω συνιστούν την βασική αρχή τηςμεθόδου.