دائرة تكاملية
من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة
دائرة تكاملية أو متكاملة عبارة عن دائرة الكترونية مصغرة وهي من ضمن مايعرف بتقانة ميكروية والتي هي بدورها جزء من الهندسة الإلكترونية ، أحدث ثورة في عالم الالكترونيات, الشريحة رقيقة من مادة السيلكون تبلغ مساحتها عدة ملليمترات و يطلق عليها ((شريحة السيلكون silicon chip)) أو رقاقة السيلكون و تحتوي شريحة السيلكون على الآلاف من المكونات الالكترونية الدقيقة جدا ، مثل الترانزستورات و المقاومات و المكثفات التي تربط معا لتكون دوائر الكترونية متكاملة ، و قد تم إنتاجها لأول مرة بالولايات المتحدة في عام 1958. و الشرائح الالكترونية التي تستخدم في الوقت الحاضر ، تحتوي على عشرات الألوف من المكونات المختلفة ، التي تحشر في مساحة تبلغ حوالي 30 - 40 ملليمتر مربع ، و يمكنها أن تخزن 64,000 وحدة من المعلومات (بيت bit) و يمكن للشرائح الحديثة المتطورة أن تقوم بمعظم العمليات التي تؤديها الحاسبة الالكترونية و يطلق عليها (الميكروبروسيسور ((المعالج الصغير)) microprocessor). و إذا تم تجهيز الآلات بالميكروبروسيسور أمكن تحويلها إلى روبوت. و يمكن حاليا انتاج المئات من هذه الرقائق دفعة واحدة ، و ذلك باستخدام وسائل تقنية حديثة مختلفة تشتمل على عدة عمليات متتابعة ، مثل عمليات التصوير باستخدام حواجز معينة ، و الحفر ، و ترسيب مواد كيميائية تعمل كشوائب (مثل ذرات الفسفور) داخل الشبكة البلورية لعنصر السيليكون ، و ذلك لتصبح الشريحة السيليكونية الواحدة في النهاية تعمل عمل أشباه الموصلات semi conductors و التي تبنى منها الترانزستورات. و في ختام عملية إنتاج الشرائح الالكترونية ، يتم وضع طبقة من مادة الألمنيوم يتكون منها أحجبة ثم تحفر لتكوين الروابط بالدوائر الخارجية.
تعتمد فكرة صناعة الدائرة المتكاملة على خطوات:
- تكوين سبيكة سيلكون اسطوانية مصمتة من نوع p
- تقطيع الاسطوانة إلى أقراص
- ترسيب طبقة رفيعة من نوع n
- حقن بنوع pلصنع قاعدة الترانزستور و المقاومات
- ترسيب طبقة من مادة حساسة للضوء
- تعريض المناطق المراد حقنها للضوء
- حقن بنوع p
- تكرار نفس الخطوات ولكن بنوع n لصنع باعث الترانزستور
- تكرار نفس الخطوات للحقن بنوع +p للعزل بين الترانزستورات
- طبقة أوكسيد للعزل
- ثقب طبقة الأوكسيد في أماكن التوصيل وطباعة التوصيلات بالألمونيوم