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컴퓨터에서 랜덤 액세스 메모리(영어: Random Access Memory) 즉 (RAM)은 읽고 쓰기가 가능한 주기억 장치이다. 반도체 회로로 구성되어 있다. 흔히 RAM을 ‘읽고 쓸 수 있는 메모리’라는 뜻으로 알고 있는데, 이것은 오해이다. RAM은 어느 위치에 저장된 데이터이던지 접근(읽기 및 쓰기)하는 데 동일한 대기 시간이 걸리는 메모리이기에 ‘랜덤(Random, 무작위)’이라는 명칭이 주어진다. 반면 하드 디스크나 자기 테이프는 저장된 위치에 따라 접근하는 데 필요한 시간이 다르다.

목차

[편집] 종류

휘발성 메모리: 전원 공급이 중단되면 기억된 내용이 지워진다.

  • 디램(DRAM, Dynamic Random Access Memory) 데이터를 유지하기 위해 일정 시간마다 재생(refresh)해 주어야 하는 램
  • 에스램(SRAM, Static Random Access Memory) 전원이 공급되는 동안 데이터가 유지되는 램. 일정 시간마다 재생해 줄 필요가 없다.

비휘발성 메모리: 전원 공급이 중단되도 기억된 내용이 지워지지 않는다.

  • 플래시 메모리(Flash Memory) 속도는 느리나 싸고 집적도가 높다.
  • 에프램(FRAM, Ferroelectric Random Access Memory) 디램과 유사하나 재생이 필요없는 램.

[편집] 원리

[편집] DRAM의 원리

축전기에 전류를 흘려주면 전류가 충전되며, 방전되는 시간이 느리다. 따라서 주기적으로 충전되어 있는 상태(리프레싱)를 유지해주면 기억이 저장된다.

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