ผู้ใช้:Kimetu

จากวิกิพีเดีย สารานุกรมเสรี

                                                  หน่วยความจำ  (memory)

หน่วยความจำ (memory)

    ถ้าจะให้เปรียบหน่วยความจำของเครื่องคอมพิวเตอร์กับร่างกายมนุษย์  หน่วยความจำของคอมพิวเตอร์ก็คงเป็นเหมือนกับสมองของมนุษย์  ที่มีหน้าที่ในการเก็บรวบรวมข้อมูล  

เรื่องราวต่าง ๆ ที่ได้พบ สัมผัส และกระทำในแต่ละช่วงเวลา ในระบบดิจิตอลหรือระบบคอมพิวเตอร์นั้นมีหน่วยความจำ (memory) ซึ่งสามารถเก็บได้หลายตำแหน่งหรือหลายไบต์ และสามารถทำการอ่านหรือเขียนข้อมูลได้ การที่มันเก็บข้อมูลได้จำนวนมากนั้นจะต้องมีการระบุว่าจะอ่านหรือเขียนข้อมูลที่ตำแหน่งใด โดยค่าตำแหน่งในหน่วยความจำนี้ เรียกว่า แอดเดรส (address) ในระบบคอมพิวเตอร์จะแบ่งหน่วยความจำออกเป็นสองประเภท คือ

- หน่วยความจำปฐมภูมิ (primary memory) หรือหน่วยความจำหลัก

- หน่วยความจำทุติยภูมิ (secondary memory) หรือหน่วยความจำสำรอง

หน่วยความจำปฐมภูมิ (primary memory)

- หน่วยความจำปฐมภูมิ เป็นหน่วยความจำที่ติดต่อกับซีพียูโดยตรงมี 2 ชนิดคือ แบบข้อมูลที่เก็บไว้ไม่สูญหายแม้ไม่มีไฟฟ้าป้อน เป็นหน่วยความจำที่เรียกกันทั่วไปว่า รอม (ROM) ข้อมูลที่เก็บไว้ภายในถูกสร้างขึ้นในขณะที่สร้างหน่วยความจำจากผู้ผลิต และไม่สามารถแก้ไขได้ แต่ในปัจจุบันหน่วยความจำประเภทนี้ได้รับการพัฒนาให้สามารถบันทึกและลบข้อมูลภายในได้ แต่ต้องอาศัยอุปกรณ์พิเศษเฉพาะหน่วยความจำชนิดนี้ ได้แก่ programmeble ROM , PROM และ erasable PROM หรือ EPROM ส่วนหน่วยความจำอีกชนิดหนึ่งคือ แรม (RAM) ข้อมูลที่เก็บไว้จำเป็นต้องใช้กระแสไฟเพื่อรักษาข้อมูลให้คงอยู่ ถ้าไม่มีกระแสไฟฟ้าข้อมูลที่เก็บไว้ก็หายไปหมด

หน้าที่ของหน่วยความจำหลัก

มีหน้าที่เก็บข้อมูลคำสั่งต่างๆตลอดจนผลลัพธ์จาการประมวลที่รอพิมพ์หรือแสดงทางหน่วยแสดงผล หน่วยความจำหลักมีชื่ออีกอย่างหนึ่งว่าหน่วยเก็บข้อมูลหลัก (Storage Unit) เมื่อมีการคำนวณข้อมูลที่อยู่ในหน่วยความจำจะถูกคัดลอกไปยังหน่วยคำนวณ ภายหลังเสร็จสิ้นการคำนวณ ผลลัพธ์ ที่ได้จะถูกส่งกลับมาที่หน่วยความจำ อีกครั้งเพื่อรอส่งไปแสดงหรือพิมพ์ทางอุปกรณ์แสดงผลลัพธ์ต่อไปข้อมูลหรือผลลัพธ์ที่ส่งจากหน่วยความจำไปยังหน่วยอื่นๆนั้น ต้นฉบับยังอยู่ในตำแหน่งเดิม ถ้าเทียบกับการทำงานของหน่วยความจำกับสมองของคนก็จะคล้ายคลึงกัน เช่นถ้าบอกหมายเลขโทรศัพท์ที่ทำงานของเราให้เพื่อนทราบ เราก็ยังจำหมายเลข โทรศัพท์ได้อยู่เช่นเดิมและสามารถเรียกข้อมูลที่เก็บไว้ในหน่วยความจำสมองได้อีกหลาย ๆ ครั้งตามต้องการวิธีการเก็บข้อมูลของหน่วยความจำนั้น เริ่มจากการรับค่าข้อมูลจากหน่วยอื่นๆ ตามคำสั่งในโปรแกรมแล้วเก็บหรือจำไว้ โดยหน่วยความจำจะกำหนดตำแหน่งที่เก็บข้อมูลเองผู้ใช้ไม่จำเป็นต้องทราบว่าข้อมูลนั้นอยู่ที่ตำแหน่งใด เมื่อเรียกข้อมูลหรือค่าออกมาใช้ หน่วย ความจำก็จะดึงข้อมูลให้โดยไม่ผิดพลาด ข้อมูลภายใต้ชื่อๆหนึ่งจะถูกกำหนดให้เก็บไว้ณ ที่ๆหนึ่ง และถ้ามีการส่งข้อมูลใหม่สู่หน่วยความจำด้วยชื่อเดิมอีกค่าของข้อมูลเดิมก็จะ แทนค่าด้วยข้อมูลใหม่ทันที่นอกจากการเก็บค่าข้อมูลแล้ว หน่วยความจำยังทำหน้าที่เก็บโปรแกรมคำสั่งคอมพิวเตอร์อีกด้วย

ประเภทของแอดเดรสหรือห้องเก็บข้อมูล

ลักษณะการเก็บข้อมูลในแอดเดรส ในหน่วยความจำหลักนั้นจะขึ้นอยู่กับการออกแบบหน่วยความจำ โดยที่ใช้ในปัจจุบันมี 3 ประเภทคือ

- Word-Addressable

- Character-Addressable

- Byte-Addressable Word-Addressable

    ภายใต้แอดเดรสประเภทนี้ จะเรียกแต่ละห้องของข้อมูลว่า 1 คำ และในหนึ่งคำสามารถเก็บค่าตัวเลข หรือสัญลักษณ์ใดๆ ได้เพียง1ตัวเท่านั้น 

ความยาวของคำแต่ละคำจะตายตัวและแน่นอน ซึ่งในแต่เครื่องจะมีลักษณะแอดเดรสประเภทนี้ ส่วนมากจะใช้คอมพิวเตอร์ที่ทำงานทางด้านคำนวณ หรือวิทยาศาสตร์Character-Addressable ในแต่ละแอดเดรสจะสามารถบันทึกได้เฉพาะ 1 สัญลักษณ์ ซึ่งหมายความว่าข้อมูลยาว ๆ ตัวหนึ่งจะต้องถูกเก็บลงในแอดเดรส ซึ่งโดยปกติ ไมโครคอมพิวเตอร์จะใช้ หน่วยความจำแบบนี้ ลักษณะของแอดเดรสแบบนี้จะดีสำหรับการจัดสรรเนื้อที่ในหน่วยความจำ แต่ไม่เหมาะกับงานทางด้านการคำนวณByte-Addressable แอดเดรสประเภทนี้ สามารถบันทึกทั้งในลักษณะ Word-Addressable และCharacter-Addressable ตามแต่คำสั่งที่เขียนโปรแกรมไว้ Byte-Addressable ยังแบ่งได้เป็น 2 อย่าง คือ แบบกำหนดความยาวแบบคงที่ ซึ่งใช้ในงานทางด้านวิทยาศาสตร์ และแบบความยาวแปรเปลี่ยนไป ซึ่งใช้กับงานทางด้านธุรกิจ

บิตและไบต์ ( Bit-Binary Digit & Byte )

    คอมพิวเตอร์ทั่ว ๆ ไปจะใช้ลักษณะสัญญาณไฟฟ้าเป็นหลักในการทำงานสัญญาณของกระแสไฟฟ้าจะอยู่ใน 2 สภาพ คือ เปิดและปิด ในหน่วยความจำหลักของคอมพิวเตอร์

มีส่วนประกอบที่เล็กที่สุด เรียกว่า บิต ที่เป็นเลขฐานสองเพราะวัสดุที่ใช้จะเกิดสภาพเหมือนสัญญาณไฟฟ้า บิตเดียวไม่สามารถแทนข้อมูลใด ๆ ได้ จะต้องนำบิตมารวมกัน เป็นกลุ่มเรียกว่า ไบต์ ในแต่ละไบต์จะแทนตัวเลขตัวอักษร หรือสัญลักษณ์ได้เพียงหนึ่งตัวเท่านั้น ขนาดของไบต์จะบอกถึงขนาดของหน่วยความจำ

MASK ROM

หน่วยความจำประเภทนี้ ข้อมูลภายในจะถูกโปรแกรมที่มาจากโรงงานตั้งแต่ขั้นตอนการผลิตไอซี ROM เหมาะสำหรับงานที่ต้องการผลิตครั้งละมาก ๆ ROM ประเภทนี้มีทั้งแบบโพลาร์และแบบ MOS แต่ละเซลล์ในหน่วยความจำที่เก็บข้อมูล 1 บิต จะถูกสร้างเป็นลอจิก ศูนย์และหนึ่งตามต้องการ

โครงสร้างภายในของ ROM

เนื่องจากโครงสร้างภายในของไอซี ROM จะมีความซับซ้อนมาก ยิ่งมีความจุข้อมูลมากเท่าไหร่ ความซับซ้อนจะยิ่งมากขึ้นเท่านั้น

PROM (programmable read-only memory)

เป็นหน่วยความจำแบบอ่านอย่างเดียวเท่านั้น (read-only memory หรือ ROM) ที่สามารถปรับปรุงได้โดยผู้ใช้ PROM เป็นวิธีการยินยอมให้ ผู้ใช้เพิ่มเติมโปรแกรม microcode ด้วยเครื่องมือพิเศษ เรียกว่า PROM programmer เครื่องมือนี้ให้กระแสไฟฟ้า เพื่อระบุเซลล์ใน ROM ที่มีผลต่อการเปลี่ยนฟิวส์ ขั้นตอนนี้เรียกว่า burning the PROM เนื่องจากขั้นตอนนี้ ไม่ให้มีความผิดพลาด ชิพส่วนมากจึงออกแบบให้ปรับปรุง โดยผู้ใช้ด้วยการใช้ Erasuble program mable read-only memory (EPROM) หรือ electrieally erasuble proyrummable read-only memory (EEPROM) สำหรับดิจิตอลหรือคอมพิวเตอร์ที่ผลิตออกมาจำนวนไม่มากและต้องการใช้หน่วยความจำ ROM สามารถนำหน่วยความจำ ROM มาโปรแกรมเองได้ โดยใช้หน่วยความจำที่เรียนว่า Programmable Read Only Memory หน่วยความจำนี้ เซลล์เก็บข้อมูลแต่ละเซลล์จะมีฟิวส์ ต่ออยู่ PROMที่ยังไม่ถูกโปรแกรมนั้น ข้อมูลทุกเซลล์จะมีค่าเท่ากันหมด คือมีลอจิกเป็นหนึ่ง เมื่อมีการโปรแกรมโดยจากแรงดันไฟสูง ๆ เข้าไปจะทำให้เซลล์บางเซลล์หรือฟิวส์ขาดไป ทำให้ตำแหน่งที่เซลล์นั้นต่ออยู่มีลอจิกเป็นศูนย์หลังจากทำการโปรแกรมหน่วยความจำประเภทนี้แล้วจะไม่สามารถลบได้อีก เนื่องจากฟิวส์ที่ขาดแล้วไม่สามารถต่อได้ จึงเป็นหน่วยความจำที่อ่านได้อย่างเดียว

EPROM (Erasable PROM)

เป็นหน่วยความจำรอมประเภทที่สามารถเขียนคำสั่ง บันทึกและแก้ไขด้วยเครื่องมือเฉพาะได้หลายๆ ครั้ง ข้อมูลจะถูกโปรแกรม โดยผู้ใช้โดยการให้สัญญาณ ที่มีแรงดันสูง (HIGH VOLTAGE SIGNAL) ผ่านเข้าไปในตัว EPROM ซึ่งเป็นวิธีเดียวกับที่ใช้ใน PROM แต่ข้อมูลที่อยู่ใน EPROM เปลี่ยนแปลงได้ โดยการลบข้อมูลเดิมที่อยู่ใน EPROM ออกก่อน แล้วค่อยโปรแกรมเข้าไปใหม่ การลบข้อมูลนี้ทำได้ด้วย การฉายแสง อุลตร้าไวโอเลตเข้าไปในตัว IC โดยผ่าน ทางกระจกใส ที่อยู่บนตัว IC เมื่อฉายแสง ครู่หนึ่ง (ประมาณ 5-10 นาที) ข้อมูลที่อยู่ภายใน ก็จะถูกลบทิ้ง ซึ่งช่วงเวลา ที่ฉายแสงนี้ สามารถดูได้จากข้อมูล ที่กำหนด (DATA SHEET) มากับตัว EPROM และ มีความเหมาะสม ที่จะใช้ เมื่องานของระบบ มีโอกาส ที่จะปรับปรุงแก้ไขข้อมูลใหม่

หน่วยความจำแบบอ่านได้ เขียนได้ (RAM)

หน่วยความจำประเภท RAM เป็นหน่วยความจำที่สามารถอ่านและเขียนข้อมูลกี่ครั้งก็ได้ แต่ต้องมีแหล่งจ่ายไฟตลอดเวลา ถ้าไม่มีข้อมูลที่เก็บไว้จะหายไป หน่วยความจำประเภทนี้ถูกสร้างเป็นไอซีสารกึ่งตัวนำ ใช้เทคโนโลยีแบบไบโพลาร์ และแบบ MOS และแบบที่ใช้ทั้งสองประเภทรวมกัน เรียกว่า BiMOS ไบโพลาร์จะเป็นหน่วยความจำแบบสแตติก RAM(SRAM) ซึ่งเป็นหน่วยความจำที่เก็บข้อมูลได้ตลอดไปเท่าที่มีไฟเลี้ยงอยู่ สำหรับ MOS จะแบ่งออกเป็นหน่วยความจำแบบสแตติก RAM และแบบไดนามิก RAM(DRAM) ซึ่งเป็นหน่วยความจำที่ต้องมีสัญญาณกระตุ้นข้อมูลเพื่อให้ข้อมูลยังคงอยู่ในหน่วยความจำนั้น หน่วยความจำแบบสแตติก RAM (SRAM)

โครงสร้างภายในหน่วยความจำนี้ประกอบด้วยเซลล์ข้อมูลขนาด 1 บิตต่อเรียงกัน และข้อมูลที่เก็บไว้จะอยู่ตลอดเมื่อมีไฟเลี้ยง การเก็บข้อมูลจะถูกสร้างด้วยฟลิปฟลอปที่ทำด้วยทรานซิสเตอร์แบไบโพลาร์ หรือ MOSFET หรือ CMOS การเก็บข้อมูลโดยใช้ฟลิปฟลอปนี้จะต้องใช้พลังงานไฟฟ้าเพื่อให้ข้อมูลคงอยู่ ซึ่งเห็นว่าต่างจากการเก็บข้อมูลของ ROM ที่โครงสร้างภายในถูกออกแบบให้เป็นลอจิก “0” หรือ “1” เลย

ทางลอจิกของหน่วยความจำ SRAM ขนาด 32k*8 จะเห็นว่าประกอบด้วยแอดเดรสบัสจำนวน 15 เส้น ดาต้าบัสจำนวน 8 เส้น และกลุ่มสัญญาณควบคุม ในหน่วยความจำ SRAM แต่ละตำแหน่งอาจเก็บข้อมูล 1 บิต นีบเบิล(4บิต) ไบต์ ( 8บิต) หรือหลายไบต์ก็ได้ ไอซีหน่วยความจำแบบสแตติก RAM ไอซีที่เป็นหน่วยความจำแบบสแตติกที่อยู่ด้วยกันหลายเบอร์ เบอร์ MCM6264C ซึ่งทำหน้าที่เป็น SRAM ขนาด 8k*8 บิต โดยโครงสร้างภายในจะคล้ายกับ SRAM ต่างกันตรงขนาดของหน่วยความจำเท่านั้น โดยหน่วยความจำตัวนี้จะแบ่งออกเป็น 256 แถว แต่ละแถวมี 32 หลัก หลักละ 8 บิต ทำให้อ้างแอดเดรสได้ 8192 ตำแหน่ง ส่วนขาชิปอีนาเบิลจะเป็นขา E1 และ E2

หน่วยความจำไดนามิก RAM (DRAM)

หน่วยความจำ RAM ประเภท MOS อีกประเภทหนึ่งคือหน่วยความจำประเภทไดนามิก เป็นหน่วยความจำที่แม้มีไฟเลี้ยงอยู่ข้อมูลก็อาจสูญหายได้ ซึ่งเซลล์ของหน่วยความจำจะสร้างตัวเก็บประจุ ซึ่งทำให้การเก็บข้อมูลหนึ่งเซลล์หรือเก็บข้อมูลหนึ่งบิตจะใช้พื้นที่ในการสร้างลงบนซิปไอซีน้อยกว่า ระบบคอมพิวเตอร์ที่ต้องการหน่วยความจำมาก ๆ จะใช้หน่วยความจำประเภทนี้ แต่เนื่องจากการเก็บข้อมูลภายในจะใช้โครงสร้างแบบฟลิปฟลอปซึ่งข้อมูลจะหายได้เมื่อเวลาผ่านไป ทำให้ต้องมีการเขียนข้อมูลซ้ำ ๆ ทุก ๆ ช่วงเวลาที่กำหนดการเขียนข้อมูลซ้ำ ๆ นี้เรียกว่า การรีเฟรช (refresh)

โครงสร้างพื้นฐานของหน่วยความจำ DRAM

ข้อแตกต่างระหว่าง DRAM กับ SRAM จะอยู่ที่โครงสร้างของการเก็บข้อมูลแต่ละเซลล์ โดยแต่ละเซลล์ของDRAM จะสร้างทรานซิสเตอร์หนึ่งตัวกับตัวเก็บประจุหนึ่งตัว จะง่ายกว่าโครงสร้างของ SRAM ทำให้หน่วยความจำประเภท DRAM มีความจุต่อชิปสูงกว่าหน่วยความจำประเภท SRAM แต่ข้อมูลในตัวเก็บประจุสามารถหายได้ จึงต้องมีวงจรรีเฟรชเข้ามาชิป DRAM ด้วย หน่วยความจำประเภท DRAM มีความจุข้อมูลสูง ทำให้ต้องมีสัญญาณแอดเดรสในการอ้าง ตำแหน่งมากตามไปด้วย โครงสร้างของ DRAM ขนาด 1 เมกะบิตหรือ 1 M * 1 บิต ต้องใช้ขาแอดเดรสในการอ้างตำแหน่งถึง20 เส้น โดยใช้เทคนิคการมัลติเพล็กซ์แอดเดรส(address multiplexing)

ไอซีหน่วยความจำ DRAM

DRAM ถูกผลิตออกมาในรูปของไอซีมากมาย และใช้กันในคอมพิวเตอร์ เนื่องจากหน่วยความจำประเภทนี้มีความจุข้อมูลต่อชิปสูง ไอซีเบอร์ MCM516100 ซึ่งเป็นหน้วยความจำ DRAM ขนาด 16M * 1 บิต หรือ 16,777,216 บิต ต้องใช้ขาแอดเดรสจำนวน 24 เส้น แต่เนื่องจากโครงสร้างภายในจะต่อกันเป็นอาร์เรย์แบบ 4096 แถว และ 4096 หลัก และใช้การมัลติเพล็กซ์แอดเดรสทำให้มีขาแอดเดรสเพียง 12 เส้นเท่านั้น ส่วนข้อมูลเข้าและข้อมูลออกจะใช้ขา Q

การจัดและติดตั้งหน่วยความจำ

ในระบบคอมพิวเตอร์ที่ใช้ไมโครโปรเวสเซอร์เป็นตัวประมวลผลจะต้องมีการต่อหน่วยความจำภายนอกเข้ากับระบบ ต้องออกแบบว่าให้ไมโครโปรเวสเซอร์อ้าตำแหน่งหน่วยความจำที่แอดเดรสใด การออกแบบแอดเดรสของหน่วยความจำมักแสดงเป็นแผนผังหน่วยความจำ เพื่อบอกว่าหน่วยความจำตัวนี้เก็บข้อมูลในตำแหน่งแอดเดรสใดบ้าง บางครั้งการต่อไอซีหน่วยความจำในระบบอาจใช้หน่วยความจำหลายตัวมาต่อกัน เช่นนำไอซีที่เก็บข้อมูลได้ 1 กิโลไบต์สองตัวมาต่อกันเป็นไอซีหน่วยความจำขนาด 2 กิโลไบต์ หรือนำไอซีที่เก็บข้อมูลได้ตำแหน่งละ 1 บิตจำนวน 8 ตัวมาต่อกันให้เป็นระบบหน่วยความจำที่เก็บข้อมูลได้ตำแหน่งละ 8 บิต การถอดรหัสตำแหน่งหน่วยความจำ จะป็นการจัดตำแหน่งแอดเดรสหน่วยความจำให้กับไอซีหน่วยความจำแต่ละตัว พบในระบบคอมพิวเตอร์หรือระบบที่ใช้ไมโครเซสเซอร์เป็นตัวควบคุมที่สามารถอ้างหน่วยความจำได้เป็นจำนวนมาก แต่หน่วยความจำที่ใช้จริง ๆ อาจมีจำนวนน้อย เช่น คอมพิวเตอร์บางรุ่นสามารถอ้างหน่วยความจำได้สูงสุด 512 เมกะไบต์ แต่ในเครื่องนั้นมีหน่วยความจำต่ออยู่จริง ๆ เพียง 16 เมกะไบต์ หรือในระบบที่ต้องใช้หน่วยความจำหลายตัวก็ต้องมีวงจรถอดรหัสเช่นกัน เช่น ระบบที่มีหน่วยประมวลผลเป็นไมโครโปรเซสเซอร์ที่สามารถอ้างแอดเดรสได้ 65,536 ตำแหน่งหรือ 64 Kตำแหน่ง ซึ่งมีสัญญาณแอดเดรส 16 เส้น แต่ต้องการต่อกับหน่วยความจำ EPROM ขนาด 4K * 8 สามารถออกแบบได้ดังนี้ EPROM ขนาด 4K * 8 จะมีแอดเดรส 12 เส้น แต่ระบบมีหน่วยประมวลผลที่มีขาแอดเดรส 16 เส้น ดังนั้นจะใช้ขาแอดเดรส 4 บิตบน เป็นตัวถอนรหัสเลือกไอซี EPROM แต่ละตัว และให้ขาแอดเดรส 12 บิตล่างต่อกับ EPROM แต่ละตัว เราอาจออกแบบวงจรโดยใช้ไอซีเบอร์ 74LS138 มาสร้างเป็นวงจรถอดรหัสได้ ซึ่งสามารถต่อกับหน่วยความจำ EPROM ได้จำนวน 8 ตัว เมื่อไมโครโปรเซสเวอร์ต้องการอ่านข้อมูลจากหน่วยความจำ ตัวมันจะส่งค่าแอดเดรสที่ต้องการอ่านจำนวน 16 บิตออกมาทางแอดเดรสบัส จากนั้นจะให้สัญญาณ RD เป็นลอจิก “0” เพื่ออ่านข้อมูล สัญญาณแอดเดรสที่ถูกส่งออกมา 4 บิตบนจะต่อเข้าวงจรถอดรหัส ทำให้หน่วยความจำ EPROM แต่ละตัวจะเก็บข้อมูลได้ 4K ตำแหน่ง ทำให้ EPROM ตัวแรกจะต่ออยู่ที่แอดเดรส 0000-FFFF ตัวที่สองต่อยู่ที่ตำแหน่ง 1000-1FFF


หน่วยความจำทุติยภูมิ (secondary memory)

- หน่วยความจำสำรอง (Secondary Storage Unit or Auxiliary Unit) ถือเป็น หน่วยความจำภายนอก (External Memory) ซึ่งเป็นอุปกรณ์ที่มีหน้าที่ในการจัดเก็บสำรองข้อมูลของคอมพิวเตอร์ไว้อย่างถาวร สามารถนำข้อมูลเหล่านั้นกลับมาใช้ใหม่ได้อีก เป็นการเพิ่มประสิทธิภาพให้กับระบบ งานคอมพิวเตอร์มากยิ่งขึ้น

การพิจารณาประสิทธิภาพของหน่วยความจำสำรอง

1. ความเร็ว (Retrieval speed) หมายถึง เวลาที่ใช้ในการอ่านข้อมูลและได้ข้อมูลที่ต้องการ โดยทั่วไปหน่วยความจำสำรองที่มี ความเร็วในการอ่านสูงและสามารถเก็บข้องมูลได้มากจะมีราคาแพง

2. ขนาดของความจำ (Storage capacity) คือ อุปกรณ์สำรองข้อมูลมีความสามารถในการเก็บข้อมูลได้มากน้อยเพียงใด

3. ต้นทุนต่อหน่วย (Cost per bit of capacity)


ตัวอย่างอุปกรณ์ที่เป็นหน่วยความจำสำรอง

• ดิสก์เกต (Floppy Disks)

• ฮาร์ดดิสก์ (Hard Disk)

• ซีดี-รอม (CR-ROM)

• เทปแม่เหล็ก (Magnetic Tape)