RAM động
Bách khoa toàn thư mở Wikipedia
Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM hay RAM động) là một loại bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên lưu mỗi bit dữ liệu trong một tụ điện riêng biệt trên một mạch tích hợp. Vì các tụ điện bị rò điện tích nên thông tin sẽ bị mất dần trừ khi dữ liệu được nạp lại đều đặn. Đây là điểm khác biệt so với RAM tĩnh. Ưu điểm của DRAM là có cấu trúc đơn giản: chỉ cần một transistor và một tụ điện cho mỗi bit trong khi cần sáu transistor đối với SRAM. Điều này cho phép DRAM lưu trữ với mật độ cao. Vì DRAM mất dữ liệu khi không có điện nên nó thuộc loại thiết bị nhớ bay hơi.
[sửa] Lịch sử
DRAM được phát minh bởi tiến sĩ Robert Dennard tại Trung tâm nghiên cứu Thomas J. Watson IBM vào năm 1966 và được cấp bằng sáng chế năm 1968. Capacitors had been used for earlier memory schemes such as the drum of the Atanasoff-Berry Computer, the Williams tube and the Selectron tube.
In 1969, Honeywell asked Intel to make a DRAM using a 3-transistor cell that they had developed. This became the Intel 1102 (1024x1) in early 1970. However the 1102 had many problems, prompting Intel to begin work on their own improved design (secretly to avoid conflict with Honeywell). This became the first commercially available 1-transistor cell DRAM, the Intel 1103 (1024x1) in October 1970 (despite initial problems with low yield, until the 5th revision of the masks).
The first DRAM with multiplexed row/column address lines was the Mostek MK4096 (4096x1) in 1973.