Effekt MOSFET

Fra Wikipedia, den frie encyklopædi

En SMD (overflademonteret) effekt MOSFET der kan tåle 45 ampere og 20V. De findes f.eks. på et PC bundkort.
Forstør
En SMD (overflademonteret) effekt MOSFET der kan tåle 45 ampere og 20V. De findes f.eks. på et PC bundkort.
N-channels: Image:IGFET_symbol_N_dep.png Image:IGFET_symbol_N_enh.png
P-channels: Image:IGFET_symbol_P_dep.png Image:IGFET_symbol_P_enh.png
depletion IGFET enhancement IGFET
Transistor symboler for MOSFET som er ét eksempel på en IGFET.
Langt de fleste effekt MOSFET er af enhancementtypen
- dvs. at deres kanal er ikke-ledende for Vgs=0V.

En effekt MOSFET (eller power MOSFET - fabrikant salgsnavne: VMOS, TMOS, DMOS, MegaMOS, HEXFET, HiPerMOS, SIPMOS, TrenchMOS) er en af flere transistortyper, som er elektriske komponenter lavet af halvlederfaststof og formet som en chip og pakket ind i et hus med typisk tre ben (også kaldet terminaler). Deres formål i næsten al elektronik er at forstærke elektriske signaler (analog styring) eller fungere som en elektrisk kontakt (digital styring).

Effekt MOSFET anvendes hovedsageligt med digital styring i effektelektronik som f.eks. SMPS (f.eks. vekselrettere), elmotor-kommutering, udgangsforstærkere, radiosendere, fjernsyn.

En effekt MOSFET er en speciel MOSFET transistorversion, som er optimeret til at lede og spærre for store elektriske strømme (mere end 100 ampere og mere end 1000 volt) i en brik på ca. 1 cm³. Den høje ydelse nås ved hjælp af en halvlederstruktur, som parallelkobler mange del-MOSFET linjer/baner på stort set hele chip-overfladen.

Denne naturvidenskabsartikel er kun påbegyndt. Hvis du ved mere om emnet kan du hjælpe Wikipedia ved at udvide den.

Indholdsfortegnelse

[redigér] Eksterne henvisninger

[redigér] Generelt

[redigér] Teknisk

[redigér] Nogle fabrikanter

Andre sprog