Integrinė mikroschema
Straipsnis iš Vikipedijos, laisvosios enciklopedijos.
Integrinė mikroschema (IMS) - tai vientisu technologiniu procesu pagamintas užbaigtas funkcinis įtaisas, susidedantis bent iš keleto neišardomai sujungtų elementų ir hermetizuotas viename korpuse.
[taisyti] Bendros žinios
Elektroniniuose įrenginiuose IMS yra pagrindinis vientisas nedalomas elementas toks, koks įprastinėje technikoje rezistorius, kondensatorius arba tranzistorius. IMS susideda iš elementų ir komponetų.
IMS elementu vadinama mikroschemos dalis, kuri atlieka puslaidininkio elemento (diodo, tranzistoriaus), kondensatoriaus ir t.t. funkciją ir konstruktyviai neatskiriama nuo IMS.
IMS komponentu vadinama ta mikroschemos dalis, kuri atlieka elektroninio elemento funkciją, bet iki montavimo yra savarankiškas gaminys.
IMS labai patikimos, pigios, lengvos, mažos, vatroja mažai energijos, greitai veikia.
[taisyti] Klasifikacija
IMS klasifikuojamos pagal gamybos technologiją, integracijos laipsnį, funkcinę paskirtį ir aktyviųjų elementų tipą.
Puslaidininkinėse (monolitinėse) IMS visi elementai gaminami vieno puslaidininkio kristalo paviršiuje ir tūryje; kristalas yra korpuse.
Hibridinės IMS yra sudarytos iš sluoksninių pasyviųjų elementų, nekorpusinių aktyviųjų elementų (diodų, tranzistorių) ir laidumo takelių bei aikštelių.
Sluoksninės IMS yra sudarytos iš sluoksninių elementų ant dialektriko paviršiaus. Plonos plėvelės (iki 10-6m) yra gaunamos temovakuuminio nusodinimo ir katodinio purškimo būdu, o storos (daugiau kaip 10-6m) - šilkografija arba įtrinant mišinį pro trafaretą. Sluoksninės technologijos metodu gaminami pasyvieji mikroschemų elementai - rezistoriai, kondensatoriai ir ritės.
Priklausomai nuo elementų ir komponentų vietoje IMS skaičiaus mikroschemos būna skirtingo integracijos laipsnio. IMS sudėtingumas apibūdinamas jų integracijos laipsniu Ki, priklausančiu nuo elementų skaičiaus N mikroschemoje. Ki lygus artimiausiam sveikajam skaičiui, nemažesniam kaip lgN.
Ki = lgN
Mikroschemos, kurių N ≤ 10, vadinamos pirmo integracijos laipsnio mikroschemomis (Ki=1); N=11...100, - antrojo (Ki=2); N=101...1000 - trečiojo (Ki=3); N=1001...10000 - ketvirtojo (Ki=4); N=10001...100000 - penktojo (Ki=5). IMS, kurių Ki=4, vadinamos didelėmis (DIS), kurių Ki=5, - superdidelėmis (SDIS).
Analoginės mikroschemos skirtos tolydiniams signalams perdirbti ir apdoroti, naudojamos analoginėje technikoje ir radioelektronikoje.
Skaitmeninės mikroschemos skirtos diskretiniams signalams (dvejetainėje sistemoje) perdirbti ir apdoroti, taikomos automatikoje, pramoninėje elektronikoje ir skaičiavimo technikoje.
[taisyti] IMS gamybos pagrindiniai technologiniai procesai
Šiuolaikinių IMS gamybos technologijoje yra daug operacijų.
Oksidavimas. Silicio plokštelės oksidavimas vyksta (800-1200°C) temperatūroje deguonies arba deguonies ir vandens garų mišinio apinkoje. Ant plokštelės paviršiaus susidaro silicio dioksido SiO2. Ploni (0,03-0,1 μm storio)silicio dioksido sluoksniai naudojami kaip izoliacija po MOP tranzistorių užtūromis. Storesni (0,3-0,8 μm) naudojami plokštelės paviršiui apsaugoto nuo priemaišų difuzijos ar joninio legiravimo procese į paviršių išeinančioms pn sandūroms izoliuoti, suformuotos mikroschemos paviršiui apsaugoti nuo aplinkos poveikio it t.t.
Ėsdinimas. Tai medžiagos sluoksnių pašalinimas nuo kristalo paviršiaus cheminiu, elektrocheminiu, joniniu bei plazmocheminiu ėsdinimu. Cheminis ėsdinimas - tai plokstelės paviršiaus ardymas skystu tirpikliu. Nuėsdinamo sluoksnio storis priklauso nuo ėsdiklio koncentracijos, ėsdinimo temperatūros bei trukmės. Elektrocheminis ėsdinimas vyksta tik tirpikliu tekant srovei. Pašalinamo sluoksnio storis reguliuojamas tekančios tirpikliu srovės stiprumu ir trukme. Joninis ėsdinimas - tai plokštelės paviršiaus bombardavimas greitaisiais jonais vakuume. Plazmocheminiu ėsdinimu vadinamas procesas, kai paviršių bombarduojantys jonai ne tik jį ardo, bet ir saveikauja su ėsdinama medžiaga.
Fotolitografija. Ji pagrysta šviesai jautrių medžiagų savybe keisti atsparumą tirpikliams, paveikus šviesa. Fotolitografijos procese puslaidininkė plokštelė po oksidavimo padengema fotorezistu (fotojautriu sluoksniu), ant jo uždedamas fotošablonas (stiklo plokštelė, iš apačios padengta metalo sluoksniu, kuriame reikiamose vietose išėzdintos angos). Taip paruošta plokštelė iš viršaus apšviečiama ultravioletiniais spinduliais(eksponuojama). Apšviestas fotorezistas tampa atsparus ėsdinantiems tirpikliams, o neapšviestas yra pašalinamas ryškinimo metu, ir tose vietose matyti dioksido plėvelė. Po to plėvelė veikiama tirpikliu, ėsdinanciu SiO2, bet neveikiančiu apšviesto fotorezisto. Nepadengtose fotorezisto vietose oksido plėvelė nuėsdinama, ir okside gaunami "langai". Kitu tirpikliu pašalinamas fotorezistas, ir plokštelės paviršiuje lieka silicio oksido plėvelė, labai tiksliai pakartojanti fotošablono piešinį. Fotolitografijos būdu galima gauti piešinį, sudarytą iš 2 μm dydžio elementų. Norint sumažinti elementų matmenis ir padidinti montažo tankį, taikoma elektronolitografija, kurioje vietoj šviesos leidžiamas elektronų srautas.
Difuzija. Priemaišų difuzija vyksta legiruojančiųjų priemaišų aplinkoje 800...1250°C temperatūroje. Į fotolitografijos būdu paruoštos neapsaugotus SiO2 silicio plokštelės "langus" įterpemos donorinės ar akceptorinės priemaišos ir puslaidininkio plokštelės pavirsiuje suformuojamos p ar n sritys. Difuzijos metodu puslaidininkio plokštelės paviršiuje galima suformuoti ir daugiasluoksnias struktūras, bet vienos plokštelės paviršiuje gali vykti nedaugiau kaip trys difuzijos procesai. Difuzijos gylis yra lygus keliems mikrometrams ir priklauso nuo difuzijos skvarbos, temperatūros, trukmės ir pradinės priemaišų koncentracijos puslaidininkyje.
Joninis legiravimas.Joninis legiravimas - tai priemaišų įterpimas joniniu būdu. Specialiuose greitintuvuose priemaišų jonai įgreitinami - jų energija siekia 80-300 keV, ir tokiais greitaisiais jonais bombarduojama puslaidininkio plokštelė. Legiruotojo sluoksnio storis būna 0,1-0,4 μm. Joninis legiravimas taikomas labai ploniems sluokniams sudaryti.
Epitaksija. - tai monokristalo sluoksnio aukinimas kito monokristako paviršiuje kontroliuojant elektrinų laidumą. Epitaksinis sluoksnis auginamas virš įkaitintos iki 1250°C plokštelės, leidžiant dujų ir silicio tetrochlorido mišinį, iš kurio plokšlelės paviršiuje puseda puslaidininkis (Si). Epitaksinis auginimas plačiai taikomas mikroschemų gamyboje, kai reikia daryti daugiau sluoksnių negu įmanoma difuzijos arba joninio legiravimo būdais. Priemaišų pasiskirstymas epitaksiniame sluoksnyje tolygus, kas mikroschemų gamyboje labai svarbu.
Metalizavimas - tai metalinių sluoksnių sudarymas plokštelės paviršiuje. Metalizuojant vakuuminio garinimo būdu formuojami jungimo takeliai, kontaktų aikštelės bei kondensatorių plokštelės. Metalas po gaubtu vakuume kaitinamas iki garavimo. Garai nusėda ant plokštelės, esančios po tuo pačiu gauptu. Šis būdas taikomas puslaidininkinėse, hibridinėse, sluoksninėse integrinėse mikroschemose. Hibridinėse ir sluoksninėse mikroschemose pagrindiniai elementai formuojami garinimo būdu.