Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom
Z Wikipédie
Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom (po anglicky Insulated Gate Bipolar Transistor, skratka IGBT) je druh tranzistorov pre obrovské spínané výkony (rádove 10 MW) a vysokú pulznú frekvenciu.
Sú potrebné pri zariadeniach ako napr. meniče (DC/AC, AC/AC).
Pred zhruba 10-20 rokmi bolo pomerne ťažké vytvárať krátke vysokovýkonové pulzy rádove 10 MW, pretože napr. bipolárne a hlavne tyristory boli síce silné ale pomalé a NMOS boli zase slabé.
Preto sa vytvorili IGBT. Tie ale boli veľmi drahé a tiež nespoľahlivé. Postupne sa však vyvíjali a ich cena v poslednom čase klesla natoľko, že sú už cenovo dostupné dokonca aj pre hobby.