Trantsistore
Wikipedia(e)tik
'Trantsistore edo transistor hitza transfer resistor hitzaren kontrakzio bat da, hau da transferentzia erresistentzia. Trantsistorea osagai elektroniko erdieroale bat da, anplifikadore edo konmutadore moduan erabiltzen dena. Gaur egugo elektronikan oinarrizko osagaia da eta bera erabiliz konmutadore elektroniko, ate logiko, memoria eta beste dispositibo asko lor daitezke. Zirkuitu analogikoen kasuan trantsistoreak anplifikadore, osziladore eta uhin sortzaile moduan erabiltzen dira.
Hiru elektrodoko (triodo) huts balbularen ordezkoa den trantsistore bipolarra AEBtako Bell Laborategietan asmatu zuten 1947an John Bardeen, Walter Houser Brattain, eta William Bradford Shockleyek. Hirurek Fisikako Nobel Saria irabazi zuten 1956ean.
Eduki-taula |
[aldatu] Orokortasunak
Bere asmatzaileek horrela deitu zioten erresistentzia igorle eta kolektore arteko intentsitate elektrikoren arabera aldatzeko propietarea zela eta.
Trantistore bipolarrak hiru zati dauzka, triodoak bezala. Batek eramaileak igortzen ditu (igorlea), beste batek jaso egiten ditu (kolektorea) eta hirugarrenak, beste bien artekoak, eramaleen jarioa kontrolatzen du (basea).
Trantsistore bipolarretan igorle eta base arteko seinale elektriko txiki batek igorle eta kolektore arteko korrontea modulatzen du. Base-igorle seinalea oso txikia izan daiteke igorle-kolektorekoarekin alderatuta. Igorle-kolektoreko korrontea base-igorlekoaren oso antzekoa da "Beta" anplifikazio faktore batez anplifikatua.
Trantsitorea beraz anplifikadore moduan erabili daiteke. Gainera, anplifikadore guztiak bezala, osziladore moduan ere erabili daiteke, baita zuzentzaile eta on-off konmutadore moduan.
Trantsistorea elometria implodanta kaputta fuckingga eskordidanta inkompetenta originala etengailu elektroniko moduan ere erabili daiteke beraz, eta hau da izan ere elektronikan askotan erabiltzen den propietatea memoria eta beste motatako zirkuituen diseinuan.
[aldatu] Trantsistore motak
Trantsistore mota ezberdinak daude, bipolarrak edo BJT (bipolar junction transistor) eta eremu efektuko trantsistorea edo FET (field effect transistor), honen barruan beste mota geiago daudelarik. Adibidez: JFET, MOSFET, MISFET, e.a.
Bien arteko alde nabarmenena korrontea kontrolatzeko eran dago. Bipolarretan kontrol hori baseko korrontearen arabera egiten da eta eremu efektuko trantsistoreeytan boltajaren bidez egiten da (ateko tentsioa).
[aldatu] Trantsistore bipolarrak (BJT - Bipolar Junction Transistor)
![]() |
PNP |
![]() |
NPN |
PNP eta NPN BJT trantsistoreen zeinu eskematikoak. B=Base, C=Collector y E=Emmiter |
[aldatu] Eremu efektuko trantsistoreak (FET - Field-Effect Transistor)
![]() |
P-channel |
![]() |
N-channel |
Eremu efektuko trantsistoreak |
[aldatu] Trantsistoreak eta potentziako elektronika
[aldatu] Transistorearen agerpena
Walter Hoser Brattain, John Bardeen eta William Bradford Shockley-k 1948an asmatu zuten (1956 urtean jaso zuten Fisikako Nobel saria) eta erreboluzio bat izan zen informatikarako, zeren eta berari esker sortu ziren txipak eta txartel elektronikoak, eta hauekin batera, gero eta trinkoagoak ziren prozesatzeko unitateak. Honi guztiari teknologian izan zen hobekuntza gehitu behar zaio, (teknologia magnetikoa, optika eta magnetiko-optikozko disko gogorrak, CD eta dvd-rom ) Gainera, beste tresna eta periferiko batzuk sortu dira ere eta eurei esker ordenadoreak, testuaz gain, irudiak, soinua, grafikoak eta bideoa ere erabili ditzake.